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存储密度提升4倍UCLA开发MeRAM存储器

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2012-12-22 11:48 来源:泡泡网 作者:andershen

通过使用电压而不是流动的电流,UCLA(加州大学洛杉矶分校)Henry Samueli工程和应用科学学院的研究人员对计算机的MRAM(磁性随机存储器)作出了重大的改进。

UCLA的研究小组将这种改进后的MRAM称为MeRAM,MeRAM很可能会用在将来所有电子应用的内存芯片中,包括智能手机、平板电脑、PC和微处理器,它还可以用于存储数据,比如用在电脑和大型数据中心的SSD固态硬盘中。

MeRAM芯片

相比于现有的技术,MeRAM的主要优势是它将高密度、高速读写以及不易失性与低能耗结合起来,它有点类似于硬盘和闪存棒,但MeRAM的速度更快。

磁性存储器主要基于STT(自旋转移矩)技术,STT利用电流移动电子将数据写入内存。虽然在很多方面STT比其它存储技术更有优势,但它基于电流的写入机制需要一定的电量,导致它在写入数据的时候会产生热量。而且它的存储能力还受到数据大小的限制。

UCLA的研究小组已经用电压取代STT电流将数据写入存储,利用电势差进行磁位的转换,将数据写入存储器,这消除了通过导线移动大量电子的必要,减少了热量的产生,能源效率可以提高10倍到1000倍,而且存储密度也可以提高4倍,由于相同的物理区域可以存储更多的信息,每比特的成本也降低很多。

这个研究小组的主要负责人是UCLA的Raytheon电子工程学教授Kang L.Wang,另外还有首席作者Juan G.Alzate和UCLA-DARPA项目的项目经理Pedram Khalili。

这个研究成果最初是在今年12月12日的IEEE国际电子元件会议上发表的。

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[ 2012-12-22 ]
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