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东芝研发STT-MRAM 打破SRAM功率瓶颈

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2012-12-20 14:48 来源:ZDNet

摘要:东芝宣布它已经开发出一款自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的样品,并声称该产品首次打破了静态随机存取存储器(SRAM)的功率要求。

东芝宣布它已经开发出一款自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的样品,并声称该产品首次打破了静态随机存取存储器(SRAM)的功率要求。

STT-MRAM技术是存储厂商近几年的热门研究课题,通过将电子自旋的角动量传递给存储媒介的方式来工作。控制电子的自旋成为存储数据的有效方式。 电子向左或向右自旋分别代表0或1,STT-RAM是非易失性存储技术。

东芝将它在这个领域的创新称作“垂直磁化”,并在一份简要的声明中称,那项技术可以读取与磁层垂直的磁化强度。这个过程可以通过一个较低的能量级别反向实现,让它可以在较低的电流的情况下编程数据以及制造出更小的晶体管。

你会问,到底有多小呢?东芝称,低于30纳米,它补充说它的新产品可以保证无电流通过,在双向操作和待机状态下将泄露电流降至0,而且无需任何电源管理。 东芝还说,STT-MRAM的速度非常快,耗电量比SRAM少90%。

与以前一样,东芝没有透露STT-MRAM何时才会成为正式的产品,但是值得一提的是,电子自旋在最新声明中出现的次数比以前更多了,IBM也在投资研发这项技术。

虽然固态硬盘越来越流行,但这也许会让“电子自旋”也火一阵子。

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[ 2012-12-20 ]
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