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TLC闪存寿命短 只能循环擦写1000次

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2012-12-03 9:22 利客维数据恢复中心

摘要:三星840系列固态硬盘开启了一个新时代,TLC NAND闪存首次用于消费级产品。关于这种闪存的原理、架构技术,以及三星840的性能、可靠性,我们都已经做了比较深入的介绍,今天再来看看TLC闪存本身的寿命问题。

遗憾的是,没有任何厂商公开谈论过TLC闪存的可靠程度,只能猜测编程/擦写循环(P/E)次数大概是1000-1500次(20/25nm MLC大约是3000次),而且三星不像Intel那样会告诉你具体的闪存写入量,再加上写入放大的缘故,根本无从得知写入了多少数据。

不过还是有个变通方法:写入队列深度1的不可压缩128KB持续数据,分别计算每次测试的损耗均衡计数(WLC,类似Intel MWC媒体损耗指示器)。如果知道了平均写入速度和持续时间,就可以大致算出写入了多少数据。另一方面,大尺寸数据是连续写入的,不存在碎片,所以写入放大系数非常接近1x。

使用一块三星840 250GB进行测试,结果如下:

- 数据写入总量:92623GB

- WLC消耗量:34

- 估算P/E总数:1064次

- 估算可写入总量:272420GB

也就是说,TLC NAND闪存的确只有大约1000次编程/擦写循环,250GB的终生数据写入量也就在270TB左右。

当然了,WLC走到零之后,三星840依然有机会继续服役,最多再坚持个20-30%的时间,不过前提是它得和Intel MWI差不多。

使用一块三星840 250GB进行测试

1000次的编程/擦写循环确实很可怜,但对于普通用户来说也没有那么可怕。一般人平均每天的写入量很少能超过10GB,那么我们就假设是10GB,写入放大系数则假定为3,那么对于128GB、256GB MLC固态硬盘来说,总的寿命大约为35.0年、70.1年,同样容量的TLC硬盘则是11.7年、23.4年。

即便是每天30GB,256GB TLC硬盘也能支撑7.8年,够用不?

另外,所有的S.M.A.R.T.属性都是趋于保守的,因此即便WMI、WLC都走到了零,你的硬盘也不会立刻死去,比如著名玩家论坛XtremeSystem里有一块三星830 256GB,已经累计写入了接近6000TB,而WLC早在828TB的时候就变成零了,实际寿命达到了理论值的七倍多!

三星840 250GB

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